Логотип

зарядное устройство

Зарядные устройства GaN: революция нитрида галлия

Зарядные устройства GaN: революция нитрида галлия

Зарядные устройства с технологией GaN (нитрид галлия) вышли на рынок как наиболее эффективная альтернатива традиционным кремниевым зарядным устройствам. Этот полупроводник, используемый с 90-х годов в светодиодах и проигрывателях Blu-ray, меняет способ питания наших устройств.   Что делает нитрид галлия особенным? GaN — это широкополосный полупроводник с физическими свойствами, превосходящими кремний. Его ширина запрещенной зоны 3,4 эВ в три раза превышает

Сообщить об опечатке

Текст, который будет отправлен нашим редакторам:

Прокрутить наверх