Компания SK Hynix уже планирует выпуск твердотельных накопителей Gen 7 и видеопамяти GDDR7-Next, о чем свидетельствует ее будущий график
Производитель памяти SK Hynix только что обнародовал свои планы на ближайшие несколько лет, которые включают в себя множество новых технологий, в том числе твердотельные накопители PCIe Gen 7, VRAM GDDR7-Next для видеокарт и 3D DRAM. Компания представила свой график на период с 2026 по 2031 год на саммите SK AI Summit 2025, и там было что обсудить: от HBM5 до новых высокоскоростных устройств хранения данных. Это объявление было сделано на фоне продолжающейся инфляции цен на оперативную память.
Дорожная карта разделена на два периода. В первом, с 2026 по 2028 год, планируется выпуск твердотельных накопителей PCIe Gen 6 не только для центров обработки данных, но и для потребителей. В дорожной карте также представлены различные варианты памяти HBM4 и HBM4E для задач с высокой пропускной способностью, таких как вычисления и искусственный интеллект.
Тем временем память LPDDR6 появится в устройствах с низким энергопотреблением, а оперативная память LPDDR5x SOCAMM2 — в компактных ноутбуках и других устройствах с высокой плотностью компонентов. Также появятся твердотельные накопители PCIe Gen 5 с очень большой емкостью: для накопителей QLC (с четырьмя уровнями ячеек) планируется более 245 ТБ памяти.
Во второй части дорожной карты представлены продукты, выпуск которых ожидается в период с 2029 по 2031 год, в том числе преемник видеопамяти GDDR7, которая в настоящее время используется в видеокартах Nvidia GeForce RTX 50 Series. Это новое поколение памяти, получившее название GDDR7-Next, должно ещё больше увеличить пропускную способность по сравнению с теоретическим пределом GDDR7 в 48 Гбит/с на контакт. Хотя мы вряд ли увидим видеокарты с такой памятью до 2029 года, у GDDR7 ещё большой запас прочности: скорость современных продуктов составляет всего 30–32 Гбит/с.
Из этого списка определённо стоит выделить 3D DRAM. В ней несколько слоёв ячеек DRAM расположены вертикально и соединены с помощью сквозных кремниевых переходных отверстий (TSV) и других усовершенствованных межсоединений. Её цель — увеличить плотность, снизив при этом задержку и энергопотребление без необходимости в более мелких технологиях производства транзисторов. Считается, что такое расположение истока, затвора, стока и конденсатора позволяет уменьшить площадь кристалла на 30 % по сравнению с 6F2 DRAM.
Наконец, HBM продолжает развиваться в обоих направлениях вместе с твердотельными накопителями NVMe, обеспечивая стабильный рост производительности флеш-технологий. В первую очередь это будет выгодно центрам обработки данных, использующим искусственный интеллект, а потребители присоединятся к этому чуть позже, по крайней мере когда дело дойдёт до накопителей 6-го и 7-го поколений. Похоже, что SK Hynix настроена на успех в ближайшие пять лет, хотя пока неясно, будет ли соблюдаться эта дорожная карта.
Редактор: AndreyEx
