Intel представляет 18A-P, обещая прирост тактовой частоты на 9 % при том же энергопотреблении, что и у 18A
Компания Intel Foundry только что представила новую модификацию своего производственного процесса 18A, получившую название 18A-P. По словам представителей компании, она может повысить производительность на 9 % по сравнению с 18A при том же энергопотреблении. Кроме того, Intel утверждает, что усовершенствованный техпроцесс обеспечивает более эффективное охлаждение по сравнению с 18A и сохраняет полную обратную совместимость с существующими компонентами 18A.
Intel представила подробности на симпозиуме по СБИС в 2026 году на Гавайях и сообщила, что 18A-P сейчас используется в том, что она называет “производством с риском”. По сути, это означает, что Intel еще не завершила официальный процесс квалификации этого узла, но она достаточно уверена в полученных данных, чтобы начать наращивать производство с целью продажи произведенных на нем матриц.
Больше производительности, меньше энергопотребления
Демонстрируя потенциальную производительность, Intel привела в пример два идентичных субблока на базе ядра Arm: один на базе 18A, другой — на базе 18A-P. По данным Intel, если построить график зависимости частоты от энергопотребления для обоих чипов, то можно увидеть, что при том же или меньшем энергопотреблении 18A-P обеспечивает более высокую производительность. Проще говоря, по данным Intel, можно добиться той же частоты, потребляя на 18% меньше энергии, или повысить тактовую частоту на 9%, сохранив прежний уровень энергопотребления. Это очень важно для устройств с ограничениями по энергопотреблению.
Выступая перед прессой в преддверии анонса, вице-президент Intel Foundry Крис От заявил, что аналогичные результаты будут достигнуты и в других блоках Arm. «Вы можете посмотреть на другие схемы, — говорит От, — и увидите, что показатели скорости и энергопотребления будут примерно такими же».
Power Boost
Один из способов повышения производительности, который использует Intel, — это новая двухконтактная конструкция, получившая название Power Boost. Она предназначена для увеличения тока, проходящего через транзистор, что позволяет достичь более высоких частот при той же емкости.
Принцип работы четырехканального транзистора RibbonFET 18A-P показан на изображении справа внизу. Теперь у него два контакта — на передней и задней сторонах, а не один на передней, как у 18A. Напомним, что в 18A компания Intel перешла на подачу питания с обратной стороны. Проще говоря, это означает, что питание подается на заднюю часть транзистора, чтобы не создавать помех для сигнальных линий на передней стороне.
Чтобы объяснить, как это работает, Оут привел аналогию с переполненным театром. «Если посмотреть на то, где находится 18A, то весь этот ток, который вы получаете, должен сходиться в одной точке и проходить через этот контакт на передней панели, из-за чего возникает большое скопление людей. Это очень похоже на то, как если бы вы были в зрительном зале и всем нужно было пройти через одну дверь, все эти ряды в зале должны пройти через один проход.
«Здесь становится очень тесно. Возникает проблема с пропускной способностью. Поэтому нам нужна еще одна дверь, через которую люди могли бы выходить. И мы это сделали — добавили прямой контакт с обратной стороны, что стало возможным благодаря межкомпонентным соединениям».
Улучшенная система охлаждения
Intel также утверждает, что термостойкость процессора 18A-P улучшилась на 20–40 % по сравнению с 18A. Это стало возможным благодаря уменьшению толщины пластины в области системы охлаждения, а также использованию нового материала для этой части процессора.
Кроме того, по словам представителей Intel, компания внедрила новые потоки инструментов для автоматизации проектирования электронных устройств (EDO), которые позволяют определить, где требуется контроль температуры. «Система учитывает тепловые характеристики, — пояснил От, — поэтому там, где есть перегрев, она добавляет более разветвленную систему межсоединений или переходных отверстий, чтобы быстро отвести тепло к подложке, где оно может рассеяться».
В качестве финального штриха Intel намекнула на будущие разработки. В частности, компания планирует использовать рутений в качестве межсоединений вместо меди, что, по ее словам, позволит снизить емкость на 35 %. Intel также демонстрирует монолитный комплементарный полевой транзистор (CFET) — инвертор, в котором NMOS- и PMOS-устройства расположены вертикально друг над другом с шагом затвора 45 нм. Intel называет технологию CFET «следующим ожидаемым крупным шагом на пути к дальнейшему масштабированию логики», который позволит производителям чипов использовать различные материалы.
Редактор: AndreyEx
