Samsung: 42,5 ГБ/с GDDR7 VRAM появится в 2025 году

Компания заявляет, что у неё самая ёмкая и высокоскоростная память GDDR7 для графических процессоров нового поколения.

На данный момент мы все знаем, что графические процессоры следующего поколения, скорее всего, перейдут с памяти GDDR6 на GDDR7, поэтому компании-производители памяти соревнуются за право стать основным поставщиком графических процессоров. Micron, SK Hynix и Samsung работают над решениями GDDR7, которые, как они надеются, убедят Nvidia и AMD (и Intel?) использовать их память для графических процессоров следующего поколения. Теперь компания Samsung бросает вызов, анонсируя новые модули емкостью 24 ГБ, которые, по её словам, могут работать со скоростью 42,5 ГБ/с, что делает их самой быстрой памятью для графических процессоров.

Компания Samsung объявила, что разработала модули GDDR7 объёмом 24 ГБ, которые являются усовершенствованной версией ранее анонсированных модулей объёмом 16 ГБ. Чипы объёмом 16 ГБ позволяют использовать 2 ГБ памяти на чип, а новые чипы увеличивают этот объём до 3 ГБ, что может обеспечить интересные объёмы памяти на видеокартах нового поколения, например 9 ГБ или 18 ГБ. Помимо увеличения объёма на 1 ГБ на модуль, Samsung также заявляет, что эта память может работать со скоростью 40 ГБ/с, что выше, чем у ранее анонсированной GDDR7, которая работает со скоростью 32 ГБ/с. Samsung заявляет, что скорость может достигать даже 42,5 ГБ/с в зависимости от «условий использования».

Компания Samsung заявила, что до конца 2024 года будет тестировать эти новые модули со своими партнёрами и начнёт производство в начале следующего года. Учитывая эти сроки, эти чипы не появятся в видеокартах Nvidia RTX 5090 и 5080, так как они должны выйти в январе. Однако мы можем увидеть их в вариантах Super в 2026 году, так как видеокарты Super обычно предлагают более высокую скорость памяти. Компания Samsung, скорее всего, выйдет на рынок с модулями объёмом 16 ГБ, а затем перейдёт на 24 ГБ.

Samsung заявляет, что её модули объёмом 24 ГБ обеспечивают максимальную ёмкость и производительность. Источник: Samsung

Новые модули емкостью 24 Гбит/с были разработаны с использованием 10-нанометрового полупроводникового техпроцесса пятого поколения, в котором применяется технология экстремального ультрафиолетового излучения (EUV). Компания Samsung заявляет, что это позволило ей увеличить плотность по сравнению с модулями емкостью 16 Гбит/с на 50% без изменения размера корпуса. Она также использует сигнал PMA3 для увеличения скорости передачи данных с 32 Гбит/с, предлагаемых модулями емкостью 16 Гбит/с, до 40 Гбит/с.

По слухам, RTX 5090 будет оснащена памятью GDDR7 со скоростью 28 Гбит/с, а 5080 — памятью GDDR7 со скоростью 32 Гбит/с, так что последняя, скорее всего, станет потолком для этих скоростей памяти, когда выйдет на рынок. Неясно, будут ли AMD или Intel использовать память GDDR7 для своих видеокарт следующего поколения, поскольку обе компании, как ожидается, выпустят только графические процессоры среднего уровня, так что цена будет иметь большее значение, чем максимальная мощность. Таким образом, обе компании могли бы использовать GDDR6, чтобы сделать свои графические процессоры более доступными.

SK Hynix и Micron рекламируют свою память GDDR7 со скоростью 32 Гбит/с для графических процессоров нового поколения, но мы до сих пор не знаем, какую компанию выберет Nvidia, хотя обычно она использует память Micron. При этом SK Hynix доминирует на рынке памяти с высокой пропускной способностью и ранее была единственным поставщиком такой памяти для аппаратного обеспечения Nvidia для ИИ, поэтому она, вероятно, также претендует на GeForce Blackwell. Компания Micron заявила, что использование памяти GDDR7 позволит увеличить количество кадров в секунду в играх на 30%, поэтому игровое сообщество с нетерпением ждёт её появления.