Китайский производитель флеш-памяти NAND YMTC, судя по всему, готовится к массовому производству высокоскоростной памяти LPDDR5X. По данным международной исследовательской компании Counterpoint Research, компания планирует выпускать чипы со скоростью 9600 МТ/с на своем заводе Fab 3, используя технологию 4F² с вертикальными канальными транзисторами (VCT).
Компания, более известная своими продуктами на основе флеш-памяти YMTC NAND, похоже, теперь осваивает производство DRAM, и, судя по всему, уже запустила мелкосерийное производство. По данным Counterpoint Research, с октября 2025 года компания производит около 5000 пластин в месяц 16-гигабитной DRAM LPDDR5X-7500 второго поколения на заводе Fab 2. Теперь компания, судя по всему, планирует наладить массовое производство чипов LPDDR5X-9600 на своем заводе Fab 3 с использованием структуры ячеек VTC 4F2.
Для этого, по словам исследовательской компании, YMTC перепрофилирует свою запатентованную технологию Xtacking 4.0, которая позволяет изготавливать массив основной памяти на одной специализированной кремниевой пластине, а периферийные логические схемы — на совершенно другой пластине, а затем соединять их с помощью гибридного соединения пластин.
Такая установка позволила бы компании оптимизировать логическую схему для достижения максимальной скорости — в данном случае 9600 млн транзакций в секунду — и при этом изолировать ее от сильного нагрева, возникающего при изготовлении массива памяти.
Помимо укладки пластин друг на друга, еще одной примечательной технологией, используемой в YMTC, является структура ячейки 4F² вместо стандартной для отрасли структуры 6F². В структуре ячейки 4F² транзистор располагается вертикально с помощью транзисторов с вертикальным каналом (VCT), что, по идее, позволяет уменьшить физический размер каждой ячейки памяти примерно на треть (33%) при использовании того же технологического процесса. T
И это без использования передовых установок для EUV-литографии. Это особенно важно для YMTC, поскольку компания не может получить современное производственное оборудование из-за ограничений на экспорт в США, которые не позволяют ей уменьшать размер DRAM по горизонтали за счет использования более мелких технологических узлов.
Использование структуры ячеек 4F² также интересно, поскольку компания Micron недавно подтвердила, что не будет выводить на рынок DRAM с ячейками 4F², а сосредоточится на технологии 6F², пока не появится 3D DRAM. Micron работает над DRAM с ячейками 4F² уже два десятилетия. По словам Скотта ДеБоэра, президента и директора по технологиям и продуктам компании Micron, при масштабировании 4F² возникают фундаментальные проблемы, связанные с затратами и сложностью, которые в конечном итоге приведут к появлению 3D DRAM.
«Я не могу комментировать, почему другие поставщики поступают так, а не иначе, — сказал он инвесторам. — Могу лишь сказать, что, судя по нашему изучению этой технологии за последние пару десятилетий, во-первых, это миф, что 4F² чем-то лучше, чем 6F². Шаг конденсаторов определяет DRAM. Можно по-разному строить ячейки и транзисторы, но они все равно должны укладываться в шаг конденсаторов, который определяет DRAM». Так что кое-что из этого — просто дымовая завеса, когда речь идет о 4F² и 6F²».
Независимо от того, правильный это подход или нет, похоже, что YMTC намерена занять свою нишу на рынке DRAM, выделив в период с 2023 по 2025 год в общей сложности 142 миллиарда юаней (более 5% от продаж) на исследования и разработки, согласно данным Counterpoint Research. В долгосрочной перспективе 3D DRAM в конечном итоге вытеснит 6F² и 4F², но накопленный опыт в технологии соединения пластин будет полезен для YMTC.
